半导体发光元件及可变波长激光器光源
文献类型：专利
| 作者 | 森浩; 中山贵司; 山田敦史 |
| 发表日期 | 2009-07-08 |
| 专利号 | CN101479897A |
| 著作权人 | 安立股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体发光元件及可变波长激光器光源 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种半导体发光元件，其具备可变任意波长的能力，包括：半导体基板(11)、在所述半导体基板(11)上以条状形成，且放出光及进行波导的活性层(12)、在所述活性层(12)的侧面形成的埋入层(13a，13b)、在所述活性层(12)及所述埋入层(13a，13b)的上方形成的包层(16)、在所述包层(16)上方形成的第一电极(17a)和在所述半导体基板(11)的下方形成的第二电极(17b)，所述活性层(12)相对通过劈开形成的两个端面的一端面(14a)的法线以规定的角度进行开口，对所述活性层(12)的光的波导方向的规定长度部分进行加热的局部加热装置(15)形成在所述第一电极(17a)的上方且在自所述一端面(14a)热独立的位置。 |
| 公开日期 | 2009-07-08 |
| 申请日期 | 2007-04-20 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90286]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 安立股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森浩,中山贵司,山田敦史. 半导体发光元件及可变波长激光器光源. CN101479897A. 2009-07-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。