自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 刘金龙; 李树深; 牛智川 |
| 发表日期 | 2004-11-24 |
| 专利号 | CN1549411A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法 |
| 英文摘要 | 一种自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法，包括如下步骤：将砷化镓衬底进行脱氧处理，然后生长砷化镓缓冲层；砷化镓衬底温度；退火后采用循环停顿生长方法，生长出砷化铟量子点；生长厚为一个原子层至15nm的砷化镓；重复3－4步骤1－40个循环，循环累积生长自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点，提高材料的发光效率；生长1－30个原子层的砷化铝扩散阻挡层用于阻止铟原子扩散；生长1－30nm的铟镓砷缓冲层以减缓应力的变化；最后生长5－300nm的砷化镓盖层来保护所生长的材料。 |
| 公开日期 | 2004-11-24 |
| 申请日期 | 2003-05-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90288]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘金龙,李树深,牛智川. 自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法. CN1549411A. 2004-11-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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