垂直发射量子级联激光器结构
文献类型：专利
| 作者 | 郭万红; 刘俊岐; 陆全勇; 张伟 ; 江宇超; 李路; 王利军; 刘峰奇; 王占国
|
| 发表日期 | 2010-09-29 |
| 专利号 | CN101847828A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 垂直发射量子级联激光器结构 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种垂直发射量子级联激光器结构，包括：一衬底，在该衬底上依次生长有波导层、有源层和接触层；金属光栅层，该金属光栅层位于接触层的上面，并且该金属光栅层具有二级布拉格周期。 |
| 公开日期 | 2010-09-29 |
| 申请日期 | 2010-05-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90290]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭万红,刘俊岐,陆全勇,等. 垂直发射量子级联激光器结构. CN101847828A. 2010-09-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。