GaAs基多层自组织量子点结构及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 王琦; 贾志刚; 郭欣; 任晓敏; 黄永清 |
| 发表日期 | 2013-07-10 |
| 专利号 | CN103199438A |
| 著作权人 | 北京邮电大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | GaAs基多层自组织量子点结构及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种GaAs基多层自组织量子点结构，涉及低维半导体量子点材料和结构的可控性生长技术领域，该结构包括：衬底、位于所述衬底上的缓冲层、位于所述缓冲层上的N层量子点层及位于所述N层量子点层之上的帽层，所述每两层量子点层之间设有间隔层，其特征在于，至少有一组相邻两层量子点层之间的间隔层为两层，两层间隔层之间还设有应变补偿层。还公开了一种制备上述GaAs基多层自组织量子点结构的方法。本发明消除了多层量子点之间的应变积累，从而有效地减小了各层量子点间的相互影响，解决了由于应变积累导致的上层量子点变大的问题，改善了多层量子点的均匀性，同时还提高了多层量子点结构的周期数及模式增益。 |
| 公开日期 | 2013-07-10 |
| 申请日期 | 2012-01-04 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90291]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京邮电大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王琦,贾志刚,郭欣,等. GaAs基多层自组织量子点结构及其制备方法. CN103199438A. 2013-07-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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