光电子半导体器件
文献类型：专利
| 作者 | 亚历山大・贝雷斯; 马蒂亚斯・扎巴蒂尔 |
| 发表日期 | 2011-12-07 |
| 专利号 | CN102272952A |
| 著作权人 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光电子半导体器件 |
| 英文摘要 | 公开了一种光电子半导体器件，其具有适于发射辐射的有源层(4)，该有源层被包覆层(3a，3b)包围，其中包覆层(3a，3b)和/或有源层(4)具有含铟的磷化物半导体材料并且磷化物半导体材料包含元素Sb或Bi中的至少一种作为第V主族的附加元素。此外，还公开了一种光电子半导体器件，其具有适于发射辐射的有源层(4)，其中有源层具有含铟的氮化物半导体材料并且氮化物半导体材料包含元素As、Sb或Bi中的至少一种作为第V主族的附加元素。 |
| 公开日期 | 2011-12-07 |
| 申请日期 | 2010-01-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90292]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 亚历山大・贝雷斯,马蒂亚斯・扎巴蒂尔. 光电子半导体器件. CN102272952A. 2011-12-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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