半导体发光元件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 吉武春二; 高桥幸一; 布谷伸仁; 大桥健一 |
| 发表日期 | 2003-07-30 |
| 专利号 | CN1433087A |
| 著作权人 | 株式会社东芝 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体发光元件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及半导体发光元件及其制造方法。本发明揭示具备衬底，和由层积在上述衬底上的包含发光层的多层半导体膜构成的，从衬底侧的相反侧的面取出光的多层半导体膜，并且在上述多层半导体膜的光取出部分上，形成具有由(111)面构成的或者由(111)面近旁的面构成的光取出面的图案，在该光取出面上形成凹凸地构成的半导体发光元件。 |
| 公开日期 | 2003-07-30 |
| 申请日期 | 2003-01-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90297]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社东芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉武春二,高桥幸一,布谷伸仁,等. 半导体发光元件及其制造方法. CN1433087A. 2003-07-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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