半导体器件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 增井勇志; 荒木田孝博; 山内义则; 菊地加代子; 幸田伦太郎; 山口典彦; 大木智之 |
| 发表日期 | 2008-02-20 |
| 专利号 | CN101127434A |
| 著作权人 | 索尼株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体器件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种能够显著地增加产量的半导体器件的制造方法以及通过使用该方法制造的半导体器件。在基板上形成半导体层之后，对于每个单位芯片面积在半导体层中形成具有至少一个相互不同的参数值的作为一组的多个功能部分。然后，测量和评估根据参数值改变的对象并之后，对于每个芯片面积分割基板，使得作为评估的结果的与给定标准对应的功能部分不被断开。由此，与给定标准对应的至少一个功能部分可通过适当地调整每个参数值由每个芯片面积形成。 |
| 公开日期 | 2008-02-20 |
| 申请日期 | 2007-06-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90299]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 增井勇志,荒木田孝博,山内义则,等. 半导体器件及其制造方法. CN101127434A. 2008-02-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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