提高InAs/GaAs量子点半导体材料发光效率的方法
文献类型：专利
| 作者 | 陆卫; 季亚林; 陈效双; 李志锋; 李宁 ; 陈贵宾; 汤乃云
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| 发表日期 | 2004-01-28 |
| 专利号 | CN1471177A |
| 著作权人 | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 提高InAs/GaAs量子点半导体材料发光效率的方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种提高InAs/GaAs量子点半导体材料发光效率的方法，其特征在于本发明提出的离子注入方法区别于传统的离子注入技术中注入离子最终停留区域的选择。传统的离子注入技术应用中为了尽可能地减小因离子注入导致的缺陷增殖数量，通常将注入离子的最终停留区域选择在衬底上，避免体现发光功能材料区域的缺陷增殖数量的急剧上升。本发明提出了直接将注入离子停留在量子点区域，同时选择了有效的质子注入和注入工艺条件，结合相应的快速热退火工艺，使得最终离子注入技术得以成功地提高量子点材料的发光效率。 |
| 公开日期 | 2004-01-28 |
| 申请日期 | 2003-06-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90300]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陆卫,季亚林,陈效双,等. 提高InAs/GaAs量子点半导体材料发光效率的方法. CN1471177A. 2004-01-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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