半導體雷射裝置
文献类型：专利
| 作者 | 高瀨禎; 多田仁史; 前原宏昭; 久義浩; 佐久間仁 |
| 发表日期 | 2011-03-16 |
| 专利号 | TW201110490A |
| 著作权人 | 三菱電機股份有限公司 |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導體雷射裝置 |
| 英文摘要 | 在以結下的方式將雙波長半導體雷射晶片接合至基底上的半導體雷射裝置中,為了減低雷射晶片與基底之間產生的內應力及縮小兩雷射各自的偏光角,使用SnAg焊料於基底與雙波長半導體雷射晶片的接合。此時兩雷射各自的波導中心至晶片中心端的基底與雙波長半導體雷射晶片的接合面端部距離,與波導中心至晶片側端的基底與雙波長半導體雷射晶片的接合面端部距離之比,都在0.69以上46以下。 |
| 公开日期 | 2011-03-16 |
| 申请日期 | 2010-06-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90307]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高瀨禎,多田仁史,前原宏昭,等. 半導體雷射裝置. TW201110490A. 2011-03-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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