光子晶体纳腔量子环单光子发射器件及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 佟存柱; 田思聪; 汪丽杰; 邢恩博; 王立军 |
| 发表日期 | 2013-10-09 |
| 专利号 | CN103346476A |
| 著作权人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光子晶体纳腔量子环单光子发射器件及其制备方法 |
| 英文摘要 | 光子晶体纳腔量子环单光子发射器件及其制备方法，属于量子信息学领域，为解决单量子点微腔的单光子源存在的问题，在衬底上依次生长缓冲层、下布拉格反射镜、光学缺陷层和上布拉格反射镜，上电极接触层生长在上布拉格反射镜上面周边区域，下电极接触层生长在衬底下面；表面横向二维光子晶体结构由微纳加工制成的空气孔洞-半导体构成，内部横向谐振腔光学尺度为量子环的增益波长的一半，横向二维光子晶体谐振腔模式波长与量子环的增益波长匹配；所述量子环位于光学缺陷层中间，并且位于上布拉格反射镜、下布拉格反射镜和横向二维光子晶体结构构成的三维纳腔中心；采用量子环作为发光介质，量子效率更高；量子环材料可以覆盖量子点无法覆盖的波段。 |
| 公开日期 | 2013-10-09 |
| 申请日期 | 2013-06-24 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90310]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佟存柱,田思聪,汪丽杰,等. 光子晶体纳腔量子环单光子发射器件及其制备方法. CN103346476A. 2013-10-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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