半導體雷射裝置及其製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 川津善平; 宮下宗治; 八木哲哉 |
| 发表日期 | 2001-11-21 |
| 专利号 | TW465154B |
| 著作权人 | 三菱電機股份有限公司 |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導體雷射裝置及其製造方法 |
| 英文摘要 | 本發明係關於一種臨限電流低、電流-光輸出特性之溫度特性惡化少的半導體雷射裝置，由於其包含有:當使用矽(Si)作為基板之n型摻質(dopant)，使用鋅(Zn)作為基板之p型摻質時，將矽雜質濃度設為O.lx10^17cm¯3以上5 X10^18cm¯3以下的砷化鎵(GaAs)半導體基板l;配設於該基板上之非摻雜之A10.15Ga0.85As的主動層4;該主動層4上之n-AI0.48Ga0.52As的第一個上包覆層5;以及該第一個上包覆層5上之n-A10.55Ga0.45As的電流塊層7，所以可因降低基板l與n側電極ll之接觸電阻，而防止鋅從第一個上包覆層5擴散至主動層4中，且可有效地進行對主動層之載體封閉，以減少內部損失。 |
| 公开日期 | 2001-11-21 |
| 申请日期 | 2000-07-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90312]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 川津善平,宮下宗治,八木哲哉. 半導體雷射裝置及其製造方法. TW465154B. 2001-11-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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