发光器件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 宋俊午; 林东皙; 成泰连 |
| 发表日期 | 2005-05-25 |
| 专利号 | CN1619853A |
| 著作权人 | 三星电子株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 发光器件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明了公开一种发光器件及其制造方法。发光器件具有一种结构，其中衬底、n－型覆盖层、发光层、p－型覆盖层、欧姆接触层和反射层被依次堆积。欧姆接触层通过在氧化铟中加入附加元素而形成。根据所述的发光器件及其制造方法，改善了与P－型覆盖层的欧姆接触特性，因此提高了在封装FCLEDS过程中的效率和丝焊合格率。而且，由于具有低无接触电阻和优良的电流及电压特性，可以增加发光器件的发光效率和使用寿命。 |
| 公开日期 | 2005-05-25 |
| 申请日期 | 2004-09-08 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90315]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三星电子株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋俊午,林东皙,成泰连. 发光器件及其制造方法. CN1619853A. 2005-05-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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