聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 王宝军; 朱洪亮; 赵玲娟; 王圩; 潘教青; 梁松; 边静; 安心; 王伟; 周代兵 |
| 发表日期 | 2010-11-10 |
| 专利号 | CN101882756A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法 |
| 英文摘要 | 一种聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底的表面依次生长有源层和限制层，作为器件的基本结构；步骤2：在限制层的表面制作光刻图形；步骤3：光刻，在限制层的表面刻蚀出双沟脊型结构，刻蚀深度到达有源层的表面；步骤4：在双沟脊型结构内及限制层的表面涂聚酰亚胺介质层，预固化；步骤5：在聚酰亚胺介质层的表面涂光刻胶，烘干；步骤6：曝光，显影去掉双沟脊型结构上的及限制层表面的聚酰亚胺介质层，固化，完成器件的制作。 |
| 公开日期 | 2010-11-10 |
| 申请日期 | 2010-06-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90318]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王宝军,朱洪亮,赵玲娟,等. 聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法. CN101882756A. 2010-11-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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