半导体元件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大保广树; 林伸彦 |
| 发表日期 | 2001-04-04 |
| 专利号 | CN1290056A |
| 著作权人 | 晶元光电股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体元件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 在蓝宝石衬底上顺序地形成AlGaN缓冲层、不掺杂的GaN层、n－GaN接触层、n－InGaN裂纹防止层、n－AlGaN覆盖层、MQW有源层和p－AlGaN覆盖层。在p－AlGaN覆盖层上形成脊形部分,在脊形部分上面形成p－GaN间隙层。在p－AlGan覆盖层的平坦部分上和脊形部分的侧面顺序地形成n－AlGaN第一再生长低温缓冲层和n－AlGaN电流阻挡层,在n－AlGaN电流阻挡层上和脊形部分上面形成p－AlGaN第二再生长低温缓冲层和p－GaN接触层。 |
| 公开日期 | 2001-04-04 |
| 申请日期 | 2000-09-22 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90319]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 晶元光电股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大保广树,林伸彦. 半导体元件及其制造方法. CN1290056A. 2001-04-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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