多电极串行半导体光放大器
文献类型：专利
| 作者 | 于丽娟; 邹灿文; 刘建国; 祝宁华 |
| 发表日期 | 2017-09-15 |
| 专利号 | CN107171179A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 多电极串行半导体光放大器 |
| 英文摘要 | 本公开提供了一种多电极串行半导体光放大器，包括：衬底；n面电极，形成于衬底的第一表面；n型多层结构，形成于衬底的第二表面，包括：n型下限制层，形成于衬底上；n型波导层，形成于n型下限制层上；有源层，形成于n型多层结构上；p型多层结构，形成于有源层上，包括：p型界面层，形成于有源层上；p型上限制层，形成于p型界面层上；p型欧姆接触层，形成于p型p型上限制层上；p面电极，形成于p型多层结构上，其包括：N个串行电极，用于使载流子从各个串行电极同时注入到有源区，其中，N≥2。通过多电极串行电流多点注入，可解决大功率半导体光放大器的散热问题，提高光电转换效率。 |
| 公开日期 | 2017-09-15 |
| 申请日期 | 2017-07-13 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90320]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 于丽娟,邹灿文,刘建国,等. 多电极串行半导体光放大器. CN107171179A. 2017-09-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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