光电子半导体元件
文献类型：专利
| 作者 | F·菲舍尔; G·罗伊舍; T·利茨; G·兰德韦尔 |
| 发表日期 | 2000-07-05 |
| 专利号 | CN1259237A |
| 著作权人 | 西门子公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光电子半导体元件 |
| 英文摘要 | 光电子半导体元件,其中在半导体衬底(12)上设置一有源区(1),该有源区设置在至少一个第一谐振器镜面层(2)和至少一个第二谐振器镜面层(3)之间。第一(2)和第二(3)镜面层具有第一导电类型的半导体材料并且在有源区(1)与两镜面层(2、3)之一之间设置至少一个第一导电类型的第一高掺杂过渡层(11)和至少一个第二导电类型的第二高掺杂过渡层(10),并且以此方式设置,使得第二高掺杂简并过渡层(10)位于有源区(1)和第一高掺杂简并过渡层(11)之间。 |
| 公开日期 | 2000-07-05 |
| 申请日期 | 1998-05-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90322]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 西门子公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | F·菲舍尔,G·罗伊舍,T·利茨,等. 光电子半导体元件. CN1259237A. 2000-07-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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