中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
一种混合硅基回音壁模式微腔激光器

文献类型:专利

作者张冶金; 渠红伟; 王海玲; 石岩; 郑婉华
发表日期2013-05-22
专利号CN103117510A
著作权人中国科学院半导体研究所
国家中国
文献子类发明申请
其他题名一种混合硅基回音壁模式微腔激光器
英文摘要本发明公开了一种混合硅基回音壁模式微腔激光器,适用于硅基光子集成芯片的光源部分。该微腔激光器包括硅基波导部分和III-V族半导体增益部分,III-V族半导体增益部分形成于硅基波导部分之上,硅基部分采用硅/二氧化硅/硅,即所谓SOI结构,此部分做成三角形、矩形、圆形及波导耦合输出形式,实现纵模控制。III-V族结构直接键合于SOI上,为增益材料,且与SOI上的结构匹配,形成消逝场耦合输出。本发明特点在于硅基半导体面上激光光源的单模输出实现方式,采用正三角形、正方形、圆形等回音壁模式微腔来实现,不用解理出腔面,容易大规模加工,易于实现光波耦合输出和单纵模工作,较通常的单模激光器工艺简单,实用性强。
公开日期2013-05-22
申请日期2013-01-25
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90323]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院半导体研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
张冶金,渠红伟,王海玲,等. 一种混合硅基回音壁模式微腔激光器. CN103117510A. 2013-05-22.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。