一种混合硅基回音壁模式微腔激光器
文献类型：专利
| 作者 | 张冶金; 渠红伟; 王海玲; 石岩; 郑婉华 |
| 发表日期 | 2013-05-22 |
| 专利号 | CN103117510A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种混合硅基回音壁模式微腔激光器 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种混合硅基回音壁模式微腔激光器，适用于硅基光子集成芯片的光源部分。该微腔激光器包括硅基波导部分和III-V族半导体增益部分，III-V族半导体增益部分形成于硅基波导部分之上，硅基部分采用硅/二氧化硅/硅，即所谓SOI结构，此部分做成三角形、矩形、圆形及波导耦合输出形式，实现纵模控制。III-V族结构直接键合于SOI上，为增益材料，且与SOI上的结构匹配，形成消逝场耦合输出。本发明特点在于硅基半导体面上激光光源的单模输出实现方式，采用正三角形、正方形、圆形等回音壁模式微腔来实现，不用解理出腔面，容易大规模加工，易于实现光波耦合输出和单纵模工作，较通常的单模激光器工艺简单，实用性强。 |
| 公开日期 | 2013-05-22 |
| 申请日期 | 2013-01-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90323]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张冶金,渠红伟,王海玲,等. 一种混合硅基回音壁模式微腔激光器. CN103117510A. 2013-05-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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