氮化物基半导体发光元件和封装中安装该元件的发光器件
文献类型：专利
| 作者 | 笹冈千秋 |
| 发表日期 | 2011-08-31 |
| 专利号 | CN102170089A |
| 著作权人 | 瑞萨电子株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物基半导体发光元件和封装中安装该元件的发光器件 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种氮化物基半导体发光元件和封装中安装该元件的发光器件。为了抑制杂质附着到半导体发光元件，提供一种氮化物基半导体发光元件，包括：层压体，所述层压体具有第一包覆层、第一包覆层上方形成的有源层以及在该有源层上方形成的第二包覆层；以及电介质膜，所述电介质膜具有3μm或更大厚度，所述电介质膜被形成在发射光侧上的层压体的侧表面上，并且至少覆盖有源层的第一侧表面。 |
| 公开日期 | 2011-08-31 |
| 申请日期 | 2011-01-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90324]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 瑞萨电子株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 笹冈千秋. 氮化物基半导体发光元件和封装中安装该元件的发光器件. CN102170089A. 2011-08-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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