半导体光学元件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 志贺俊彦 |
| 发表日期 | 2008-02-06 |
| 专利号 | CN101119010A |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体光学元件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明构成一种可防止金属电极层的剥离并且可抑制接触电阻的上升的半导体光学元件。本发明的LD(10)包括：半导体层叠结构(37)，包含在n GaN基板(12)上依次层叠的有源层(26)、p包层(34)和接触层(36)；波导脊(40)，由该半导体层叠结构(37)的接触层(36)和p包层(34)的一部分形成；第1硅绝缘膜(44)，与该波导脊(40)的顶部对应地具有开口部(44a)，覆盖波导脊(40)的侧壁；紧密附着层(45)，包含排除开口部(44a)地配设在第1硅绝缘膜(44)上的由Ti构成的第1紧密附着膜(45a)；以及p侧电极(46)，配设在该紧密附着层(45)上，并且经开口部(44a)与波导脊(40)的顶部的接触层(36)紧密附着在一起。 |
| 公开日期 | 2008-02-06 |
| 申请日期 | 2007-08-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90328]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 志贺俊彦. 半导体光学元件及其制造方法. CN101119010A. 2008-02-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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