半导体芯片和用于制造半导体芯片的方法
文献类型:专利
作者 | 艾尔弗雷德·莱尔; 安德烈亚斯·莱夫勒; 克里斯托夫·艾希勒; 贝恩哈德·施托耶茨; 安德烈·佐默斯 |
发表日期 | 2017-11-24 |
专利号 | CN107394583A |
著作权人 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半导体芯片和用于制造半导体芯片的方法 |
英文摘要 | 提出一种半导体芯片(100),所述半导体芯片具有第一半导体层(1),所述第一半导体层沿着至少一个延伸方向具有材料组成的横向变化。此外,提出一种用于制造半导体芯片(100)的方法。 |
公开日期 | 2017-11-24 |
申请日期 | 2017-05-15 |
状态 | 申请中 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90332] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 艾尔弗雷德·莱尔,安德烈亚斯·莱夫勒,克里斯托夫·艾希勒,等. 半导体芯片和用于制造半导体芯片的方法. CN107394583A. 2017-11-24. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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