氮化鎵系半導體雷射二極體
文献类型：专利
| 作者 | 住友隆道; 鹽谷陽平; 善積祐介; 上野昌紀; 秋田勝史; 京野孝史 |
| 发表日期 | 2011-05-01 |
| 专利号 | TW201115869A |
| 著作权人 | 住友電氣工業股份有限公司 |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化鎵系半導體雷射二極體 |
| 英文摘要 | 本發明提供一種氮化鎵系半導體雷射二極體,其能夠使用半極性面而實現500nm以上之光之雷射振盪。活性層29設置成產生波長500nm以上之光,因此應被封鎖於核心半導體區域29之光之波長為長波長,使用雙層結構之第一導光層27及雙層結構之第二導光層31。包含AlGaN及InAlGaN中之至少任意一者的包覆層21之材料不同於III族氮化物半導體,並且第一磊晶半導體區域15之厚度D15較核心半導體區域19之厚度D19更厚,但第一至第三界面J1、J2、J3之參差錯位密度為1106cm-1以下。III族氮化物半導體雷射二極體中,能夠避免c面作為滑移面作用時之晶格緩和產生於界面J1、J2、J3之該半導體層中。 |
| 公开日期 | 2011-05-01 |
| 申请日期 | 2010-07-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90336]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電氣工業股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 住友隆道,鹽谷陽平,善積祐介,等. 氮化鎵系半導體雷射二極體. TW201115869A. 2011-05-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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