脊状光波导半导体发光元件的制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 何晋国; 邱建嘉; 郑振雄; 陈泽润 |
| 发表日期 | 2000-08-09 |
| 专利号 | CN1262539A |
| 著作权人 | 财团法人工业技术研究院 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 脊状光波导半导体发光元件的制作方法 |
| 英文摘要 | 一种脊状光波导半导体发光元件的制作方法,包括下列步骤:1、在一第一型半导体基板上形成依序第一型磊晶层与至少一第二型磊晶层,并使第二型磊晶层形成为脊状光波导;2、在其上形成具有重载子浓度的第一型半导体;3、在第一型半导体上形成金属层;脊状光波导的外侧载子浓度高于其内部的载子浓度;第一及第二型磊晶层间形成有发光活性层;第一型磊晶层可包括一束缚层及夹覆层;第二型磊晶层可包括束缚层、夹覆层、转移层及覆盖层。 |
| 公开日期 | 2000-08-09 |
| 申请日期 | 1999-01-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90348]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 财团法人工业技术研究院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 何晋国,邱建嘉,郑振雄,等. 脊状光波导半导体发光元件的制作方法. CN1262539A. 2000-08-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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