硅基单片集成激光器及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 仇超; 龚谦; 武爱民; 高腾; 盛振; 甘甫烷; 赵颖璇; 李军 |
| 发表日期 | 2017-07-14 |
| 专利号 | CN106953234A |
| 著作权人 | 上海新微科技服务有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 硅基单片集成激光器及其制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种硅基单片集成激光器及其制作方法，包括：1）于SOI衬底表面制作图形掩膜；2）刻蚀顶层硅及埋氧化硅层，形成直至衬底硅的限向结构；3）于限向结构内生长Ge外延层；4）在Ge外延层上外延生长III‑V族材料，控制Ge厚度和III‑V族材料的厚度，使得III‑V族材料的发光层与SOI衬底的顶层硅层在高度方向上精确对准。本发明利用SOI材料的底层硅作为衬底，通过Ge作为过渡层，实现III‑V族材料的硅上直接外延工艺，设计Ge的厚度和III‑V族材料的厚度，实现III‑V族材料的发光层与顶层硅的对准，使得III‑V族激光器和硅光子器件在高度方向上精确对准；通过光刻、刻蚀等工艺实现III‑V族激光器与其他硅光子器件在水平方向上高精度对准。另外，本发明可提高激光器的热扩散性能。 |
| 公开日期 | 2017-07-14 |
| 申请日期 | 2017-02-14 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90352]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 上海新微科技服务有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 仇超,龚谦,武爱民,等. 硅基单片集成激光器及其制作方法. CN106953234A. 2017-07-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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