III－V族化合物半导体晶体结构及其外延生长方法和半导体器件
文献类型：专利
| 作者 | 仓本大; 砂川晴夫 |
| 发表日期 | 2002-10-16 |
| 专利号 | CN1374683A |
| 著作权人 | 日本电气株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | III－V族化合物半导体晶体结构及其外延生长方法和半导体器件 |
| 英文摘要 | 一种III－V族化合物半导体外延层,其上部区具有倾斜角至多为100秒并且/或者其扭转角至多为100秒的晶体结构。用掩模外延生长该层,其中该掩模满足如下等式(1):h≥(w/2)tan θ ……(1)其中“θ”是在外延生长时的III－V族化合物半导体层刻面结构的基角;“h”是掩模的厚度;“w”是掩模下层的开口宽度,并且该开口宽度被限定在与基底层表面和刻面结构的侧面垂直的平面所包含的方向上。 |
| 公开日期 | 2002-10-16 |
| 申请日期 | 2002-03-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90353]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本电气株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 仓本大,砂川晴夫. III－V族化合物半导体晶体结构及其外延生长方法和半导体器件. CN1374683A. 2002-10-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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