制造激光器二极管器件的方法,激光器二极管器件的外壳和激光器二极管器件
文献类型:专利
| 作者 | 克里斯蒂安·费斯特尔; 斯特凡·格勒奇; 马库斯·蔡勒 |
| 发表日期 | 2006-06-28 |
| 专利号 | CN1795593A |
| 著作权人 | 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 制造激光器二极管器件的方法,激光器二极管器件的外壳和激光器二极管器件 |
| 英文摘要 | 一种制造激光器二极管器件的方法,该器件具有:电绝缘的外壳基体(1)和电连接导体(5a,5b),该电连接导体从外壳基体(1)中引出并且可以从外壳基体(1)之外接近。外壳基体(1)由可透过激光器二极管器件所发出的激光束的材料制成,并包括芯片安装部位(3)。激光器二极管器件的射束轴穿过外壳基体(1)。此外,本发明还涉及一种这样方法制造的壳体和具有这种类型的壳体的激光器二极管器件。 |
| 公开日期 | 2006-06-28 |
| 申请日期 | 2004-05-26 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90355] ![]() |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 克里斯蒂安·费斯特尔,斯特凡·格勒奇,马库斯·蔡勒. 制造激光器二极管器件的方法,激光器二极管器件的外壳和激光器二极管器件. CN1795593A. 2006-06-28. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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