半导体发光器件用外延片和半导体发光器件
文献类型：专利
| 作者 | 铃木良治; 大石昭夫 |
| 发表日期 | 2005-12-07 |
| 专利号 | CN1705143A |
| 著作权人 | 日立电线株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体发光器件用外延片和半导体发光器件 |
| 英文摘要 | 本发明提供使得由GaAs构成的p型复盖层的Zn不向披覆层和活性层扩散的发光器件用外延片，进而提供可以得到能够进行稳定的高输出工作和高温工作、且可靠性高的LED和LD的发光器件。本发明的半导体发光器件用外延片，是在n型衬底(1)上至少顺次层积n型披覆层(4)、活性层(6)、p型披覆层(7)、(9)、及p型复盖层(11)，且p型披覆层(7)、(9)的p型掺杂剂是Mg的半导体发光器件用外延片，所述p型复盖层(11)由从衬底侧顺次形成的掺杂Mg的层(11a)和掺杂Zn的(11b)的至少两个层构成。 |
| 公开日期 | 2005-12-07 |
| 申请日期 | 2005-05-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90356]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日立电线株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 铃木良治,大石昭夫. 半导体发光器件用外延片和半导体发光器件. CN1705143A. 2005-12-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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