一种氮化镓基激光器外延结构及其生长方法
文献类型：专利
| 作者 | 马旺; 王成新; 徐现刚 |
| 发表日期 | 2016-12-07 |
| 专利号 | CN106207754A |
| 著作权人 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种氮化镓基激光器外延结构及其生长方法 |
| 英文摘要 | 一种氮化镓基激光器外延结构及其生长方法，该外延结构自下至上依次包含衬底、成核层、高温GaN层、n型GaN/AlGaN超晶格光限制层、n型波导层、发光层、pAlxGa1‑xN/pInyGa1‑yN超晶格电子阻挡层、P型GaN波导层、P型GaN/AlGaN超晶格光限制层和表面欧姆接触层；其生长方法是在衬底上依次生长所述各层，pAlxGa1‑xN/pInyGa1‑yN超晶格电子阻挡层生长压力为80torr‑260torr，生长温度800℃‑1000℃。本发明采用pAlGaN/pInGaN超晶格电子阻挡层，通过pInGaN层生长引入的张应力缓解pAlGaN层生长引入的压应力，有利于pAlGaN层的生长，又能改善pAlGaN层带来的能带结构变化，从而改善和解决电子积聚和电子泄露问题，能够提高pAlGaN层的折射率。 |
| 公开日期 | 2016-12-07 |
| 申请日期 | 2016-09-20 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90361]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 马旺,王成新,徐现刚. 一种氮化镓基激光器外延结构及其生长方法. CN106207754A. 2016-12-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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