半導體發光裝置及其製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 竹谷元伸; 淺野竹春; 池田昌夫 |
| 发表日期 | 2007-07-11 |
| 专利号 | TWI283954B |
| 著作权人 | 新力股份有限公司 |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導體發光裝置及其製造方法 |
| 英文摘要 | 本發明揭示一種半導體發光裝置，例如使用III-V族氮化物化合物半導體之半導體雷射，其結構中在一n側包覆層及一p側包覆層之間插入一活性層，該p側包覆層係為一未摻雜或n型第一層9所製成，而一p型第二層12係由較靠近該活性層到離得較遠來依序沉積。該第一層9不會薄於50nm。該p型第二層12包含一p型第三層，其具有一較大的能帶隙插入在其中，做為一電子阻隔層。因此，該半導體發光裝置可降低操作電壓，並保持該p側包覆層具有必要的厚度來保證較佳的光學特性。 |
| 公开日期 | 2007-07-11 |
| 申请日期 | 2003-01-24 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90362]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 新力股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹谷元伸,淺野竹春,池田昌夫. 半導體發光裝置及其製造方法. TWI283954B. 2007-07-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。