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半導體雷射元件及其製造方法以及使用該半導體雷射元件之光學拾取裝置

文献类型:专利

作者高山徹
发表日期2006-10-16
专利号TW200637093A
著作权人松下電器產業股份有限公司
国家中国台湾
文献子类发明申请
其他题名半導體雷射元件及其製造方法以及使用該半導體雷射元件之光學拾取裝置
英文摘要本發明提供一種半導體雷射元件,具有高可靠度及理想的溫度特性且同時為高功率元件。活性層及將該活性層夾置於其間之兩包覆層係形成在基板上。該兩包覆層之一者形成臺地狀隆脊,且該隆脊包括分叉成至少兩分歧部之波導區域。藉此構造,注入至該活性層之後刻面(facet)部分之載子密度降低,藉此便可以增進該半導體雷射之溫度特性。該元件包括一區域,該隆脊底部寬度在橫越該區域上係呈連續變化,且該隆脊底部寬度在接近該刻面處係固定的。
公开日期2006-10-16
申请日期2006-01-03
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90363]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位松下電器產業股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
高山徹. 半導體雷射元件及其製造方法以及使用該半導體雷射元件之光學拾取裝置. TW200637093A. 2006-10-16.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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