半导体结构
文献类型：专利
| 作者 | 珈玛尔·拉丹尼; 拉艾德兰斯·德鲁帕德; 林迪·L·西尔特; 科特·W·埃森贝瑟 |
| 发表日期 | 2003-05-07 |
| 专利号 | CN1416590A |
| 著作权人 | 摩托罗拉公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体结构 |
| 英文摘要 | 通过首先在硅晶片(22)上生长出调节缓冲层(24)可以生长出覆盖较大硅晶片的高质量复合半导体材料外延层。调节缓冲层是单晶氧化物层，其中氧化硅非晶质分界层(28)将调节缓冲层与硅晶片分离开。非晶质分界层消除变形并且允许生长出高质量单晶氧化物调节缓冲层。调节缓冲层与底层硅晶片和覆盖的单晶复合半导体层(26)晶格匹配。通过非晶质分界层消除调节缓冲层和底层硅质基底之间的任何晶格失配。 |
| 公开日期 | 2003-05-07 |
| 申请日期 | 2001-02-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90365]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 摩托罗拉公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 珈玛尔·拉丹尼,拉艾德兰斯·德鲁帕德,林迪·L·西尔特,等. 半导体结构. CN1416590A. 2003-05-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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