光半导体装置
文献类型：专利
| 作者 | 境野刚 |
| 发表日期 | 2016-02-03 |
| 专利号 | CN105305230A |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半导体装置 |
| 英文摘要 | 得到一种能够兼顾高速动作和高输出化的光半导体装置。台面条带构造(2)具有依次层叠的n型InP包覆层(3)、活性层(4)、以及p型InP包覆层(5)。埋入层(7)埋入在台面条带构造(2)的两侧。活性层(4)是具有阱层和添加有碳的势垒层的多量子阱构造。埋入层(7)具有依次层叠的p型InP层(10)和Fe掺杂InP层(11)。n型InP包覆层(3)的侧面由p型InP层(10)覆盖，与Fe掺杂InP层(11)不相接。活性层(4)的侧面与p型InP层(10)不相接。 |
| 公开日期 | 2016-02-03 |
| 申请日期 | 2015-07-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90367]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 境野刚. 光半导体装置. CN105305230A. 2016-02-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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