氮化物半导体装置及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 长谷川義晃; 菅原岳; 安杖尚美; 石桥明彦; 横川俊哉 |
| 发表日期 | 2008-02-13 |
| 专利号 | CN101124704A |
| 著作权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物半导体装置及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种氮化物半导体装置，该装置具备：n型GaN衬底(10)、形成于n型GaN衬底(10)的主面上并包含p型区域及n型区域的半导体叠层结构(100)、与半导体叠层结构(100)所含的p型区域的一部分接触的p侧电极(32)、设在n型GaN衬底(10)的背面上的n侧电极(34)，n型GaN衬底的背面包含氮面，其背面和n侧电极(34)的界面上的碳浓度调整为5原子％以下。 |
| 公开日期 | 2008-02-13 |
| 申请日期 | 2006-03-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90375]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 长谷川義晃,菅原岳,安杖尚美,等. 氮化物半导体装置及其制造方法. CN101124704A. 2008-02-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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