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发光器件及其制造方法

文献类型:专利

作者仓本大; 幸田伦太郎; 渡边秀辉
发表日期2014-05-28
专利号CN103828147A
著作权人索尼公司
国家中国
文献子类发明申请
其他题名发光器件及其制造方法
英文摘要本公开提供了一种能够发出单模光束的高输出发光器件。所述发光器件设置有层压结构(20)、第二电极(32)和第一电极(31),所述层压结构本体通过在基板(20')上按顺序层压第一化合物半导体层(21)、活性层(23)和第二化合物半导体层(22)构成。第一化合物半导体层(21)具有从所述基板侧开始的第一包覆层(121A)和第一光导层(121B)的层压构造,以及所述层压结构具有由第二化合物半导体层(22)、活性层(23)以及所述第一光导层在厚度方向上的部分(121B')构成的脊条状结构(20A)。满足6×10-7m
公开日期2014-05-28
申请日期2012-09-04
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90378]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位索尼公司
推荐引用方式
GB/T 7714
仓本大,幸田伦太郎,渡边秀辉. 发光器件及其制造方法. CN103828147A. 2014-05-28.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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