从单晶体表面清除非晶体氧化物
文献类型：专利
| 作者 | 小约翰·L·爱德华兹; 魏毅; 德克·C·乔丹; 胡晓明; 詹姆斯·布拉德利·卡拉格; 拉文卓纳斯·朱帕德; 于志亦; 亚历山大·A·德莫科夫 |
| 发表日期 | 2005-11-09 |
| 专利号 | CN1695225A |
| 著作权人 | 自由度半导体公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 从单晶体表面清除非晶体氧化物 |
| 英文摘要 | 提供了从单晶体衬底(22)的表面清除非晶体氧化物(24)的方法。该方法包含将钝化材料(26)沉积在非晶体氧化物之上。然后将单晶体衬底加热，使得非晶体氧化物层分解成至少一种从该表面释放出来的易失性物质。 |
| 公开日期 | 2005-11-09 |
| 申请日期 | 2002-10-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90383]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 自由度半导体公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小约翰·L·爱德华兹,魏毅,德克·C·乔丹,等. 从单晶体表面清除非晶体氧化物. CN1695225A. 2005-11-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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