一种垂直耦合结构的半导体环形激光器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 谢生; 郭婧; 毛陆虹; 张世林; 郭维廉 |
| 发表日期 | 2013-08-21 |
| 专利号 | CN103259190A |
| 著作权人 | 天津大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种垂直耦合结构的半导体环形激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种垂直耦合结构的半导体环形激光器及其制备方法，有源环形谐振腔为：脊型波导或条形波导构成的任意闭合环路，有源环形谐振腔上制作有P型电极和N型电极，有源环形谐振腔内的激射光通过垂直耦合器耦合进条形直波导，条形直波导输出激射光。用金属有机物化学气相淀积或分子束外延方法依次生长预设厚度和浓度的N型下包层、第一渐变折射率限制层、第一势垒层、多量子阱有源层、第二势垒层、第二渐变折射率限制层、P型上包层和P型接触层。用SiO2图形作掩膜刻蚀若干外延层，刻蚀深度小于等于第一高度，且大于等于第二高度，将有源环形谐振腔转移到晶片上。实现的环形激光器具有工艺简单、成本低、器件性能稳定及可靠性高等优点。 |
| 公开日期 | 2013-08-21 |
| 申请日期 | 2013-05-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90384]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 天津大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谢生,郭婧,毛陆虹,等. 一种垂直耦合结构的半导体环形激光器及其制备方法. CN103259190A. 2013-08-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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