使用经蚀刻的刻面技术生产的基于AlGaInN的激光器
文献类型：专利
| 作者 | A·A·贝法; A·T·舒瑞莫; C·B·斯塔加瑞舒; 万纳特亚 |
| 发表日期 | 2009-11-11 |
| 专利号 | CN101578744A |
| 著作权人 | 镁可微波技术有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 使用经蚀刻的刻面技术生产的基于AlGaInN的激光器 |
| 英文摘要 | 一种用于制造能够发射蓝光的激光器的工艺，其中在CAIBE中使用超过500℃的温度和超过500V的离子束来蚀刻GaN晶片，以形成激光器波导以及镜。 |
| 公开日期 | 2009-11-11 |
| 申请日期 | 2006-06-20 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90388]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 镁可微波技术有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | A·A·贝法,A·T·舒瑞莫,C·B·斯塔加瑞舒,等. 使用经蚀刻的刻面技术生产的基于AlGaInN的激光器. CN101578744A. 2009-11-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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