以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法
文献类型：专利
| 作者 | 王元立; 吴巨; 金鹏; 叶小玲; 张春玲; 黄秀颀; 陈涌海; 王占国 |
| 发表日期 | 2007-01-10 |
| 专利号 | CN1892986A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 |
| 英文摘要 | 一种以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在该衬底的邻位面上用分子束外延工艺生长铟铝砷或铟镓砷材料的缓冲层；步骤3：生长完缓冲层后在砷压保护下停顿2～5分钟；步骤4：然后进行砷化铟量子线或点层的生长，完成以原位形成的垂直超晶格为模板定位生长量子线或点。 |
| 公开日期 | 2007-01-10 |
| 申请日期 | 2005-07-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90391]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王元立,吴巨,金鹏,等. 以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法. CN1892986A. 2007-01-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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