半导体发光元件的制造方法及半导体发光元件
文献类型：专利
| 作者 | 冈贵郁; 阿部真司; 川崎和重; 堀江淳一; 佐久间仁 |
| 发表日期 | 2010-11-03 |
| 专利号 | CN101877456A |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体发光元件的制造方法及半导体发光元件 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种半导体发光元件的制造方法及半导体发光元件，本发明的半导体发光元件的制造方法能容易地扩大p侧电极与p型接触层的接触面积，进而能得到动作电压低的半导体发光元件。利用设于脊形波导上表面(46a)的悬突形状的抗蚀剂图案(91)，在脊形波导(46)的上表面(46a)上，以与绝缘膜(50)的端部形成台阶的方式形成金属膜(60)，以该金属膜(60)作为掩模，对脊形波导上表面(46a)的绝缘膜(50)进行蚀刻，由此，能不设置新的掩模工序而扩大设于绝缘膜(50)的开口部(50a)的开口宽度，能增大p侧电极(70)与p型接触层(45)的接触面积。 |
| 公开日期 | 2010-11-03 |
| 申请日期 | 2010-03-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90394]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冈贵郁,阿部真司,川崎和重,等. 半导体发光元件的制造方法及半导体发光元件. CN101877456A. 2010-11-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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