外延晶片
文献类型：专利
| 作者 | 中西文毅; 三浦祥纪 |
| 发表日期 | 2012-05-02 |
| 专利号 | CN102437265A |
| 著作权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 外延晶片 |
| 英文摘要 | 本发明涉及外延晶片。假定r(m)表示GaN衬底(10)的半径，t1(m)表示GaN衬底的厚度，h1(m)表示在形成外延晶片(20)之前的GaN衬底(10)的翘曲，t2(m)表示AlxGa(1-x)N层(21)的厚度，h2(m)表示外延晶片的翘曲，a1表示GaN的晶格常数并且a2表示AlN的晶格常数，由下面的表达式1得到的值t1确定为GaN衬底(10)的最小厚度：(5×1011×t13+2×1011×t23)×{1/(5×1011×t1)+1/(2×1011×t2)}/{15.96×x×(1-a2/a1)}×(t1+t2)+(t1×t2)/{5.32×x×(1-a2/a1)}-(r2+h2)/2h＝0。形成厚度为至少该最小厚度(t1)且小于400μm的GaN衬底(10)。 |
| 公开日期 | 2012-05-02 |
| 申请日期 | 2008-10-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90418]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中西文毅,三浦祥纪. 外延晶片. CN102437265A. 2012-05-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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