半导体发光元件用外延晶片及半导体发光元件
文献类型：专利
| 作者 | 竹内隆; 助川俊光 |
| 发表日期 | 2009-06-03 |
| 专利号 | CN101447540A |
| 著作权人 | 住友化学株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体发光元件用外延晶片及半导体发光元件 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种半导体发光元件用外延晶片，以及采用该半导体发光元件用外延晶片来制作的半导体发光元件，该半导体发光元件用外延晶片能控制Zn从p型接触层向p型包覆层和活性层的扩散量。本发明提供一种半导体发光元件用外延晶片，在n型GaAs基板(1)上至少依次层叠由AlGaInP系材料形成的混晶所构成的n型包覆层(4)、活性层(6)和掺杂Mg的p型包覆层，以及p型接触层(13)，所述p型接触层(13)从所述n型GaAs基板(1)侧开始依次具有掺杂Mg的接触层(13b)和掺杂Zn的接触层(13a)至少两个层，其特征在于，在所述掺杂Mg的p型包覆层(8，10)和所述p型接触层(13)之间，具备掺杂Zn的Zn掺杂层(11)。 |
| 公开日期 | 2009-06-03 |
| 申请日期 | 2008-10-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90425]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友化学株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹内隆,助川俊光. 半导体发光元件用外延晶片及半导体发光元件. CN101447540A. 2009-06-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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