脊形波导量子级联激光器的制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 路秀真; 常秀兰; 胡颖; 刘峰奇; 王占国 |
| 发表日期 | 2005-11-23 |
| 专利号 | CN1700541A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 脊形波导量子级联激光器的制作方法 |
| 英文摘要 | 一种脊形波导量子级联激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(A)在半导体衬底上生长量子级联结构，作为激光器的有源区和波导层；(B)在量子级联结构材料上生长厚的二氧化硅，作为质子轰击掩蔽层；(C)涂光刻胶，刻蚀出条形；(D)带胶进行质子轰击，去胶；(E)生长一薄层二氧化硅，在解理处刻蚀出条形作为解理标识；(F)蒸电极，解理，压焊。 |
| 公开日期 | 2005-11-23 |
| 申请日期 | 2004-05-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90429]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 路秀真,常秀兰,胡颖,等. 脊形波导量子级联激光器的制作方法. CN1700541A. 2005-11-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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