第ＩＩＩ族氮化物半導體雷射元件、製作第ＩＩＩ族氮化物半導體雷射元件之方法、及磊晶基板
文献类型：专利
| 作者 | 善積祐介; 鹽谷陽平; 京野孝史; 住友隆道; 嵯峨宣弘; 足立真寬; 住吉和英; 德山慎司; 高木慎平; 池上隆俊 |
| 发表日期 | 2011-10-01 |
| 专利号 | TW201134040A |
| 著作权人 | 住友電氣工業股份有限公司 |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 第ＩＩＩ族氮化物半導體雷射元件、製作第ＩＩＩ族氮化物半導體雷射元件之方法、及磊晶基板 |
| 英文摘要 | 本發明提供一種第III族氮化物半導體雷射元件,其於六方晶系第III族氮化物之c軸向m軸方向傾斜的支持基體之半極性面上,具有能實現低閾値電流之雷射諧振器且具有能提高振盪良率之構造。成為雷射諧振器之第1及第2割斷面27、29與m-n面交叉。第III族氮化物半導體雷射元件11中,雷射波導係延伸於m-n面與半極性面17a之交叉線的方向,因此,可利用能實現低閾値電流之能帶躍遷的發光。第1及第2割斷面27、29自第1面13a之邊緣13c延伸至第2面13b之邊緣13d。割斷面27、29並非藉由乾式蝕刻而形成,且與c面、m面或者a面等目前為止之解理面不同。波導向量LGV與投影分量VCP所成之偏移角AV可於-0.5度以上+0.5度以下之範圍。 |
| 公开日期 | 2011-10-01 |
| 申请日期 | 2010-12-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90432]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電氣工業股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 善積祐介,鹽谷陽平,京野孝史,等. 第ＩＩＩ族氮化物半導體雷射元件、製作第ＩＩＩ族氮化物半導體雷射元件之方法、及磊晶基板. TW201134040A. 2011-10-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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