一种c－MgxZn1－xO/MgO多量子阱异质结构材料及其制备工艺
文献类型：专利
| 作者 | 邱东江; 吴惠桢; 余萍; 陈奶波; 徐天宁; 丁扣宝; 施红军 |
| 发表日期 | 2005-12-14 |
| 专利号 | CN1707892A |
| 著作权人 | 浙江大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种c－MgxZn1－xO/MgO多量子阱异质结构材料及其制备工艺 |
| 英文摘要 | 本发明的c－MgxZn1－xO/MgO多量子阱异质结构材料，其结构特征是：由6个～25个c－MgxZn1－xO/MgO“势阱/势垒”周期所构成；MgO材料做势垒层，c－MgxZn1－xO(即立方MgxZn1－xO)材料做势阱层；每个“势阱/势垒”周期中的垒层厚度为20nm～30nm，阱层厚度为2nm～3nm。本发明的c－MgxZn1－xO/MgO多量子阱异质结构材料，其制备工艺特征是：采用电子束反应蒸发方法，通过让高能聚焦电子束交替轰击MgO陶瓷靶材和(MgO) x (ZnO) 1－x陶瓷靶材，在衬底表面交替生长超薄MgO势垒层和超薄c－MgxZn1－xO势阱层得到c－MgxZn1－xO/MgO多量子阱异质结构材料产品。 |
| 公开日期 | 2005-12-14 |
| 申请日期 | 2005-01-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90435]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 浙江大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邱东江,吴惠桢,余萍,等. 一种c－MgxZn1－xO/MgO多量子阱异质结构材料及其制备工艺. CN1707892A. 2005-12-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。