一种基于同质外延制备高效光电子器件的方法
文献类型：专利
| 作者 | 于彤军; 方浩; 陶岳彬; 李兴斌; 陈志忠; 杨志坚; 张国义 |
| 发表日期 | 2011-02-16 |
| 专利号 | CN101976713A |
| 著作权人 | 江苏华功半导体有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种基于同质外延制备高效光电子器件的方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种基于同质外延制备高效光电子器件的方法，属于光电子器件的制备领域。本发明在氮化镓同质自支撑(厚膜)衬底上，沉积有机或无机介质材料作为刻蚀掩膜；随后采用光刻和刻蚀的方法在掩膜上开出具有几何形状的窗口，利用物理、化学等刻蚀方法将掩膜上的几何图形转移至同质自支撑(厚膜)衬底，并使图形区域和被掩膜保护的区域具有一定的高度差；用金属有机物化学气相沉积法、分子束外延或氢化物气相外延法在已经做好图形的衬底上进行同质外延GaN基LED、LD器件结构。采用本发明可有效的防止同质自支撑(厚膜)GaN衬底的翘曲形变，从而有效提高光电子器件的效率。 |
| 公开日期 | 2011-02-16 |
| 申请日期 | 2010-09-10 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90442]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 江苏华功半导体有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 于彤军,方浩,陶岳彬,等. 一种基于同质外延制备高效光电子器件的方法. CN101976713A. 2011-02-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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