一种半导体超短脉冲高重频激光器
文献类型：专利
| 作者 | 郑婉华; 赵鹏超; 王宇飞; 周旭彦; 林羽喆 |
| 发表日期 | 2016-03-30 |
| 专利号 | CN105449515A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种半导体超短脉冲高重频激光器 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种半导体超短脉冲高重频激光器，包括：激光器谐振腔(1)；激光器可饱和吸收区(2)和光子晶体反射镜(3)，其中，在激光器谐振腔(1)和饱和吸收区(2)之间设置有电隔离区(4)，用以将激光器谐振腔(1)和饱和吸收区(2)进行电隔离，光子晶体反射镜(3)设置在由激光器谐振腔(1)和激光器可饱和吸收区(2)组成的激光器主体的两端。本发明提供的半导体超短脉冲高重频激光器可灵活的改变激光腔目标反射波长、对应波长反射率和耦合输出功率等参数；设计灵活制作简便；通过普通光刻、刻蚀等标准光互连工艺即可制作，与光互连工艺兼容。 |
| 公开日期 | 2016-03-30 |
| 申请日期 | 2015-12-30 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90443]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑婉华,赵鹏超,王宇飞,等. 一种半导体超短脉冲高重频激光器. CN105449515A. 2016-03-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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