Ⅲ族氮化物制造的半导体衬底及其制造工艺
文献类型：专利
| 作者 | 碓井彰; 柴田真佐知; 大岛祐一 |
| 发表日期 | 2002-11-06 |
| 专利号 | CN1378237A |
| 著作权人 | 住友化学株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Ⅲ族氮化物制造的半导体衬底及其制造工艺 |
| 英文摘要 | 为了提供具有低缺陷密度并且弯曲小的III族氮化物形成的半导体衬底,本发明提供的工艺包括这样的步骤:在蓝宝石衬底1的C面(0001)面)上形成GaN层2;在其上形成钛膜3;在含氢气或含氢混合气体的气体环境中热处理衬底以在GaN层2中形成空隙;然后在GaN层2’上形成GaN层4。 |
| 公开日期 | 2002-11-06 |
| 申请日期 | 2002-03-27 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90451]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友化学株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 碓井彰,柴田真佐知,大岛祐一. Ⅲ族氮化物制造的半导体衬底及其制造工艺. CN1378237A. 2002-11-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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