一种提高电吸收调制激光器隔离电阻的方法
文献类型：专利
| 作者 | 熊永华; 余向红; 王任凡 |
| 发表日期 | 2013-05-08 |
| 专利号 | CN103094835A |
| 著作权人 | 武汉电信器件有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种提高电吸收调制激光器隔离电阻的方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种提高电吸收调制激光器隔离电阻的方法，包括：在激光器、调制器的InP衬底表面分别外延生长有源层、波导层，在有源层、波导层的表面均外延生产InP层；在InP层的表面沉积隔离层；在隔离层的表面旋涂光刻胶；采用曝光显影的方法，利用光刻板在光刻胶和隔离层的表面进行光刻，去除部分隔离层；打开扩散源进行元素扩散，对应去除隔离层的InP层形成元素扩散，保留有隔离层的InP层未形成元素扩散。本发明提出一种提高电吸收调制激光器隔离电阻的方法，采用扩散方法改善电吸收调制激光器的隔离电阻特性，可以通过扩散浓度和扩散区域长度来调节隔离电阻值，对光波导层没有损伤，传输损耗低，具有高可靠性。 |
| 公开日期 | 2013-05-08 |
| 申请日期 | 2013-01-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90454]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 武汉电信器件有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 熊永华,余向红,王任凡. 一种提高电吸收调制激光器隔离电阻的方法. CN103094835A. 2013-05-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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