一种氮铝共掺杂空穴型氧化锌薄膜材料的制备工艺
文献类型：专利
| 作者 | 李效民; 张灿云; 边继明; 于伟东; 高相东 |
| 发表日期 | 2006-06-07 |
| 专利号 | CN1783433A |
| 著作权人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种氮铝共掺杂空穴型氧化锌薄膜材料的制备工艺 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种氮铝共掺杂空穴型氧化锌薄膜及其制备工艺，采用超声喷雾热解法，以Zn的有机或无机盐溶液，N的有机或无机盐溶液和Al的无机盐溶液的混合溶液为前驱体，通过调节Zn2+∶NH4+∶Al3+＝1∶(1－3)∶(0.01－0.2)并控制衬底温度在600－900℃可实现对p型ZnO薄膜电性能的控制。本发明制备的p型ZnO薄膜的电阻率在10－1－10－2Ωcm，迁移率最高可达103cm2V－1s－1，并且薄膜的晶粒大小均匀、排列致密，同时薄膜具有强的(101)取向的结晶特性和常温紫外发光特性。 |
| 公开日期 | 2006-06-07 |
| 申请日期 | 2004-12-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90459]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李效民,张灿云,边继明,等. 一种氮铝共掺杂空穴型氧化锌薄膜材料的制备工艺. CN1783433A. 2006-06-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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