半導體雷射裝置及其製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 鹿孝之; 牧田幸治; 吉川兼司 |
| 发表日期 | 2007-10-01 |
| 专利号 | TW200737627A |
| 著作权人 | 松下電器產業股份有限公司 |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導體雷射裝置及其製造方法 |
| 英文摘要 | 在一能夠高功率輸出的單石雙雷射半導體雷射裝置中,透過一共同的步驟,形成一用於各雷射元件的窗形結構,藉此增進裝置的可靠性。此半導體雷射裝置具有一紅外線雷射元件及一紅光雷射元件,兩者整體地整合在一n型半導體基底上。紅外線與紅光雷射元件各具有一隆起的波導管以及一藉由在各諧振器表面的Zn擴散而形成的窗形結構。紅外線與紅光雷射元件在個別波導管的隆起部上包括p型接觸層109與119。p型接觸層109是比p型接觸層119更薄。 |
| 公开日期 | 2007-10-01 |
| 申请日期 | 2006-03-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90460]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器產業股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鹿孝之,牧田幸治,吉川兼司. 半導體雷射裝置及其製造方法. TW200737627A. 2007-10-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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