半导体光元件的制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 志贺俊彦; 佐久间仁 |
| 发表日期 | 2008-01-23 |
| 专利号 | CN101110512A |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体光元件的制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种半导体光元件的制造方法。可在波导脊的上表面，稳定地防止半导体层与电极层的接触面积的减少，提供一种成品率高的制造方法。本发明的LD(10)的制造方法是在层叠了半导体层的晶片中形成波导脊(40)，在晶片整个面中形成SiO2膜(78)，形成于波导脊(40)顶部的SiO2膜(78)的表面露出，同时，利用抗蚀剂膜埋设邻接于波导脊(40)的沟道(38)的SiO2膜(78)，形成第2抗蚀剂图案(82)，该抗蚀剂膜具有比波导脊(40)的p－GaN层(74)表面高、且比波导脊(40)顶部上的SiO2膜(78)表面低的表面，将第2抗蚀剂图案(82)作为掩膜，去除SiO2膜(78)，使波导脊(40)的p－GaN层(74)表面露出，并在其上形成电极层(46)。 |
| 公开日期 | 2008-01-23 |
| 申请日期 | 2007-07-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90473]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 志贺俊彦,佐久间仁. 半导体光元件的制造方法. CN101110512A. 2008-01-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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